Infineon Technologies IPA086N10N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPA086N10N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPA086N10N3 G 가격 및 조달
가능 수량
7334 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 796.91000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPA086N10N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPA086N10N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA086N10N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPA086N10N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPA086N10N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA086N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPA086N10N3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 37.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA086N10N3G IPA086N10N3GXKSA1 SP000485984 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPA086N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPA086, IPA086N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPA086N10N3 G 의 관련 제품
 | E32D350HPN124MCB7M | 120000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 6.1 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | E32D350HPN124MCB7M.pdf | |
 | GRM1887U1H112JA01D | 1100pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H112JA01D.pdf | |
 | 08055A220GAT4A | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A220GAT4A.pdf | |
| MKP383312140JC02R0 | 0.012µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383312140JC02R0.pdf | |
 | 2089-140-BLF | GDT 1400V 20% 1.5KA THROUGH HOLE | 2089-140-BLF.pdf | |
 | 445I32E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32E13M00000.pdf | |
 | 501AAA25M0000BAG | 25MHz LVCMOS CMEMS® Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 2.5mA Enable/Disable | 501AAA25M0000BAG.pdf | |
 | B82133A5302M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 77 mOhm Axial | B82133A5302M.pdf | |
| H3Y-4 AC24 10S | Repeat Cycle, Self-Resetting Time Delay Relay 4PDT (4 Form C) 0.5 Sec ~ 10 Sec Delay 3A @ 250VAC Socket | H3Y-4 AC24 10S.pdf | |
.jpg) | RT2512FKE07787KL | RES SMD 787K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE07787KL.pdf | |
 | RN73C2A191RBTG | RES SMD 191 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A191RBTG.pdf | |
 | 4308M-102-682LF | RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP | 4308M-102-682LF.pdf |
