창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA093N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPA093N06N3 G | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA093N06N3 G IPA093N06N3 G-ND IPA093N06N3G SP000451088 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPA093N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPA093N0, IPA093N06N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | DF2S7MSL,L3F | TVS DIODE 5VWM 20VC | DF2S7MSL,L3F.pdf | |
![]() | 416F3741XCKR | 37.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3741XCKR.pdf | |
![]() | UDZ6V8B-7 | DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323 | UDZ6V8B-7.pdf | |
![]() | 4610-RC | 6.2µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 830 mOhm Max Axial | 4610-RC.pdf | |
![]() | ERJ-8GEYJ561V | RES SMD 560 OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8GEYJ561V.pdf | |
![]() | 35211M0FT | RES SMD 1M OHM 1% 2W 2512 | 35211M0FT.pdf | |
![]() | RT0805DRC07324KL | RES SMD 324K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRC07324KL.pdf | |
![]() | RT0805WRD07187KL | RES SMD 187K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD07187KL.pdf | |
![]() | TNPW2010499KBETF | RES SMD 499K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010499KBETF.pdf |