Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2
- 제조업체 부품 번호
- IPA50R190CEXKSA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPA50R190CEXKSA2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,189.18800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPA50R190CEXKSA2, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPA50R190CEXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA50R190CEXKSA2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPA50R190CEXKSA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPA50R190CEXKSA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA50R190CEXKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPA50R190CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 6.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 510µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1137pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001364312 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPA50R190CEXKSA2 | |
| 관련 링크 | IPA50R19, IPA50R190CEXKSA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPA50R190CEXKSA2 의 관련 제품
 | B32676E6475K | 4.7µF Film Capacitor 350V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.709" W (42.00mm x 18.00mm) | B32676E6475K.pdf | |
 | TPSMC16AHE3_A/H | TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC SMC | TPSMC16AHE3_A/H.pdf | |
 | GL150F33IDT | 15MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL150F33IDT.pdf | |
 | VS-19TQ015STRL-M3 | DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB | VS-19TQ015STRL-M3.pdf | |
 | B82462A4223K | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 260 mOhm Max Nonstandard | B82462A4223K.pdf | |
 | ELL-SFG560MA | 56µH Shielded Wirewound Inductor 330mA 1.3 Ohm Nonstandard | ELL-SFG560MA.pdf | |
| S0402-2N2F1D | 2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 950mA 90 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-2N2F1D.pdf | |
 | H11A1SR2M | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | H11A1SR2M.pdf | |
 | RG2012P-6042-B-T5 | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-6042-B-T5.pdf | |
 | MCT06030C6980FP500 | RES SMD 698 OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C6980FP500.pdf | |
 | CMF55140K00CEEB | RES 140K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF55140K00CEEB.pdf | |
 | GX-F15AI | Inductive Proximity Sensor 0.165" (4.2mm) IP68 Module | GX-F15AI.pdf |
