창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R190C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPA60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA60R190C6XKSA1 SP000621152 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPA60R190C6 | |
관련 링크 | IPA60, IPA60R190C6 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 08055K2R0BAWTR | 2.0pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055K2R0BAWTR.pdf | |
![]() | TBZ363C5V5-7-F | TVS DIODE 2VWM SOT363 | TBZ363C5V5-7-F.pdf | |
![]() | 4N37SM | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N37SM.pdf | |
![]() | 810F40R | RES CHAS MNT 40 OHM 1% 10W | 810F40R.pdf | |
![]() | RG2012N-2051-B-T5 | RES SMD 2.05K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-2051-B-T5.pdf | |
![]() | PHP00603E4320BBT1 | RES SMD 432 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E4320BBT1.pdf | |
![]() | CRCW080530R0JNEB | RES SMD 30 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080530R0JNEB.pdf | |
![]() | P51-200-A-J-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-A-J-P-5V-000-000.pdf |