창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R600E6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx60R600E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA60R600E6 IPA60R600E6-ND SP000797298 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPA60R600E6XKSA1 | |
관련 링크 | IPA60R60, IPA60R600E6XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0805D5R6BLPAP | 5.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6BLPAP.pdf | |
![]() | AQ12EM1R3BAJWE | 1.3pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM1R3BAJWE.pdf | |
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![]() | PF0552.153NLT | Shielded 2 Coil Inductor Array 61µH Inductance - Connected in Series 15µH Inductance - Connected in Parallel 24 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 5.5A Nonstandard | PF0552.153NLT.pdf | |
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![]() | MNR15ERRPJ431 | RES ARRAY 8 RES 430 OHM 1206 | MNR15ERRPJ431.pdf | |
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![]() | AC03000002001JAC00 | RES 2K OHM 3W 5% AXIAL | AC03000002001JAC00.pdf | |
![]() | MAX7030LATJ+T | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 315MHz 32-WFQFN Exposed Pad | MAX7030LATJ+T.pdf |