Infineon Technologies IPA60R600P6
- 제조업체 부품 번호
- IPA60R600P6
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPA60R600P6 가격 및 조달
가능 수량
1347 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 800.24600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPA60R600P6, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPA60R600P6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA60R600P6, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPA60R600P6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPA60R600P6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA60R600P6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPA60R600P6 | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 557pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 28W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO-220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA60R600P6XKSA1 SP001017070 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPA60R600P6 | |
| 관련 링크 | IPA60, IPA60R600P6 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPA60R600P6 의 관련 제품
 | UPM1K821MHD | 820µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM1K821MHD.pdf | |
 | E81D451VND102MB60T | CAP ALUM 1000UF 450V RADIAL | E81D451VND102MB60T.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2196P2A820JZ01D | 82pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A820JZ01D.pdf | |
 | 9C22100036 | 22.1184MHz ±30ppm 수정 30pF -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C22100036.pdf | |
 | 510RAB-ABAG | 100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 26mA Enable/Disable | 510RAB-ABAG.pdf | |
 | AUIRFR8403 | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | AUIRFR8403.pdf | |
 | NS12555T100MN | 10µH Shielded Wirewound Inductor 5.04A 21 mOhm Max Nonstandard | NS12555T100MN.pdf | |
.jpg) | CRCW06031M07FKEA | RES SMD 1.07M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031M07FKEA.pdf | |
.jpg) | RT0603DRD0784K5L | RES SMD 84.5KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0784K5L.pdf | |
.jpg) | RT1210DRD07316RL | RES SMD 316 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07316RL.pdf | |
| AT0603CRD0724K3L | RES SMD 24.3K OHM 1/10W 0603 | AT0603CRD0724K3L.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW080539R0BETA | RES SMD 39 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080539R0BETA.pdf |
