창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA65R660CFDXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx65R660CFD | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 27.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA65R660CFD IPA65R660CFD-ND SP000838284 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPA65R660CFDXKSA1 | |
관련 링크 | IPA65R66, IPA65R660CFDXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
C0402C0G1C220K020BC | 22pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C220K020BC.pdf | ||
12107C223KAT2A | 0.022µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12107C223KAT2A.pdf | ||
K680J10C0GH5UH5 | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K680J10C0GH5UH5.pdf | ||
C911U220JVNDCAWL35 | 22pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U220JVNDCAWL35.pdf | ||
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KTR10EZPF1960 | RES SMD 196 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF1960.pdf | ||
AT1206BRD07178KL | RES SMD 178K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07178KL.pdf | ||
CC2510F8RSPG3 | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 36-VFQFN Exposed Pad | CC2510F8RSPG3.pdf |