창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPAN65R650CEXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPAN65R650CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001508828 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPAN65R650CEXKSA1 | |
관련 링크 | IPAN65R6, IPAN65R650CEXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MKP385162200JD02G0 | 620pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385162200JD02G0.pdf | |
![]() | MDA-V-6/10-R | FUSE CERM 600MA 250VAC 3AB 3AG | MDA-V-6/10-R.pdf | |
![]() | AGC-1/200-R | FUSE GLASS 5MA 250VAC 3AB 3AG | AGC-1/200-R.pdf | |
![]() | 402F30022IAT | 30MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30022IAT.pdf | |
![]() | IMP4-2W0-4LE0-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP4-2W0-4LE0-00-A.pdf | |
![]() | MHQ1005P27NGT000 | 27nH Unshielded Multilayer Inductor 230mA 1.3 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P27NGT000.pdf | |
![]() | CKP20161R0M-T | 1µH Unshielded Multilayer Inductor 1.3A 120 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | CKP20161R0M-T.pdf | |
![]() | PTN1206E1062BST1 | RES SMD 10.6K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1062BST1.pdf | |
![]() | RCP2512B25R0GTP | RES SMD 25 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B25R0GTP.pdf | |
![]() | TMP421AIDCNTG4 | SENSOR TEMPERATURE SMBUS SOT23-8 | TMP421AIDCNTG4.pdf |