창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB009N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB009N03L G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 227nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB009N03L G-ND IPB009N03L GTR IPB009N03LG IPB009N03LGATMA1 SP000394657 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB009N03L G | |
관련 링크 | IPB009, IPB009N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
CGA5L3X8R1C475K160AE | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L3X8R1C475K160AE.pdf | ||
FG18C0G1H821JNT06 | 820pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG18C0G1H821JNT06.pdf | ||
C1206C331G1GACTU | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C331G1GACTU.pdf | ||
10CAV8E | FUSE 10KV 8AMP 11" 1436 | 10CAV8E.pdf | ||
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RN73C2A5K1BTDF | RES SMD 5.1K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A5K1BTDF.pdf | ||
RNMF14FTD102R | RES 102 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD102R.pdf |