Infineon Technologies IPB009N03L G
- 제조업체 부품 번호
- IPB009N03L G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB009N03L G 가격 및 조달
가능 수량
1151 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,557.05172
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB009N03L G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB009N03L G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB009N03L G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB009N03L G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB009N03L G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB009N03L G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB009N03L G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 227nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB009N03L G-ND IPB009N03L GTR IPB009N03LG IPB009N03LGATMA1 SP000394657 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB009N03L G | |
| 관련 링크 | IPB009, IPB009N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB009N03L G 의 관련 제품
 | EEE-FC0J102AP | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEE-FC0J102AP.pdf | |
 | E36D451LPN500TA54M | 50µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D451LPN500TA54M.pdf | |
 | VJ0402D3R9DLBAP | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R9DLBAP.pdf | |
| VJ0402D0R7CXXAJ | 0.70pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7CXXAJ.pdf | |
 | TAJB475M020RNJ | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1210 (3528 Metric) 3 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJB475M020RNJ.pdf | |
 | 445A23F25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 24pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23F25M00000.pdf | |
 | VS-1N1185A | DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB | VS-1N1185A.pdf | |
 | MPC1040LR88C | 880nH Unshielded Inductor 17A 2.3 mOhm Max Nonstandard | MPC1040LR88C.pdf | |
| 78F5R6J-RC | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 400 mOhm Max Axial | 78F5R6J-RC.pdf | |
 | MGV12051R0M-10 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 29A 2.5 mOhm Max Nonstandard | MGV12051R0M-10.pdf | |
 | G6JU-2FL-Y-TR DC4.5 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6JU-2FL-Y-TR DC4.5.pdf | |
 | RCL12181R54FKEK | RES SMD 1.54 OHM 1W 1812 WIDE | RCL12181R54FKEK.pdf |
