Infineon Technologies IPB011N04L G

IPB011N04L G
제조업체 부품 번호
IPB011N04L G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
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IPB011N04L G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB011N04L G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPB011N04L G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.1m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 200µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs346nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds29000pF @ 20V
전력 - 최대250W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB
공급 장치 패키지PG-TO263-7-3
표준 포장 1,000
다른 이름IPB011N04L G-ND
IPB011N04L GTR
IPB011N04LG
IPB011N04LGATMA1
SP000391498
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB011N04L G
관련 링크IPB011, IPB011N04L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB011N04L G 의 관련 제품
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TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMA TV04A480J-G.pdf
VARISTOR 266V 10KA DISC 20MM V175LT20CPX425.pdf
40MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40035ATR.pdf
36MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F36033ITT.pdf
Optoisolator Darlington Output 1500VDC 1 Channel 8-SMD Butt Joint HCPL-570K-100.pdf
RES SMD 80.6K OHM 0.5% 1/4W 1206 AT1206DRE0780K6L.pdf
RES SMD 110 OHM 2% 5W 0505 RCP0505W110RGWB.pdf
RES 545 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55545R00FKEB.pdf
Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder P51-1000-A-F-M12-4.5V-000-000.pdf