창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB017N06N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB017N06N3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 196µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 275nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB017N06N3 G-ND IPB017N06N3 GTR IPB017N06N3G IPB017N06N3GATMA1 SP000434404 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB017N06N3 G | |
관련 링크 | IPB017, IPB017N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 445A35C16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35C16M00000.pdf | |
![]() | FA-20H 20.0000MF10P-W7 | 20MHz ±10ppm 수정 12pF 80옴 -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-20H 20.0000MF10P-W7.pdf | |
![]() | 416F24013IDT | 24MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24013IDT.pdf | |
![]() | STF13N95K3 | MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP | STF13N95K3.pdf | |
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![]() | TNPW2512390KBEEG | RES SMD 390K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512390KBEEG.pdf | |
![]() | 768143272GP | RES ARRAY 7 RES 2.7K OHM 14SOIC | 768143272GP.pdf | |
![]() | NSCSRRN004BGUNV | Pressure Sensor 58.02 PSI (400 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.92mm) Tube, Dual 0 mV ~ 100 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Same Side | NSCSRRN004BGUNV.pdf |