Infineon Technologies IPB017N06N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB017N06N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB017N06N3 G 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,926.81816
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB017N06N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB017N06N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB017N06N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB017N06N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB017N06N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB017N06N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB017N06N3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 196µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 275nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB017N06N3 G-ND IPB017N06N3 GTR IPB017N06N3G IPB017N06N3GATMA1 SP000434404 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB017N06N3 G | |
| 관련 링크 | IPB017, IPB017N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB017N06N3 G 의 관련 제품
-14.jpg) | C3216CH1H223K060AA | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 CH 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216CH1H223K060AA.pdf | |
.jpg) | 100A0R2BT150XT | 0.20pF 150V 세라믹 커패시터 P90 비표준 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | 100A0R2BT150XT.pdf | |
 | 416F4801XCKT | 48MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4801XCKT.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1025BI2-133.0000T | 133MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V 10mA Standby (Power Down) | DSC1025BI2-133.0000T.pdf | |
 | AQV210FSZ | PHOTOMOSMOS FET RELAYSOP | AQV210FSZ.pdf | |
.jpg) | RC1210FR-075R9L | RES SMD 5.9 OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-075R9L.pdf | |
.jpg) | AA2512JK-0724KL | RES SMD 24K OHM 5% 1W 2512 | AA2512JK-0724KL.pdf | |
 | ERJ-S1TF4221U | RES SMD 4.22K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF4221U.pdf | |
.jpg) | RT0805BRB0747K5L | RES SMD 47.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB0747K5L.pdf | |
 | RCP0505W12R0GS6 | RES SMD 12 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W12R0GS6.pdf | |
| MBB02070C4852FC100 | RES 48.5K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4852FC100.pdf | |
| P51-50-S-U-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-S-U-I36-20MA-000-000.pdf |
