Infineon Technologies IPB017N10N5ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB017N10N5ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB017N10N5ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,971.94968
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB017N10N5ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB017N10N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB017N10N5ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB017N10N5ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB017N10N5ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB017N10N5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB017N10N5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 279µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB017N10N5ATMA1TR SP001227028 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB017N10N5ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB017N1, IPB017N10N5ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB017N10N5ATMA1 의 관련 제품
 | AY2471K29Y5SS63L7 | 470pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | AY2471K29Y5SS63L7.pdf | |
 | VJ0603D2R1DXXAC | 2.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R1DXXAC.pdf | |
 | SMBJ48CA-M3/52 | TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO-215AA | SMBJ48CA-M3/52.pdf | |
 | SIT1602AIT7-18E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT1602AIT7-18E.pdf | |
 | MG1275W-XBN2MM | IGBT MOD 1200V 75A PKG W CRCT:XB | MG1275W-XBN2MM.pdf | |
 | PE-0805CM330KTT | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 180 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CM330KTT.pdf | |
 | 1641R-822J | 8.2µH Shielded Molded Inductor 250mA 1.32 Ohm Max Axial | 1641R-822J.pdf | |
| G2R-1A-T AC220 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 220VAC Coil Chassis Mount | G2R-1A-T AC220.pdf | |
 | RN73C2A422RBTG | RES SMD 422 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A422RBTG.pdf | |
| Y09251K60000B9L | RES 1.6K OHM 8W 0.1% TO220-2 | Y09251K60000B9L.pdf | |
 | HSCMRNN015PGAA3 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.93mm) Tube 0.33 V ~ 2.97 V 8-SMD, J-Lead, Side Port | HSCMRNN015PGAA3.pdf | |
| P51-75-S-D-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-S-D-M12-20MA-000-000.pdf |
