창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB027N10N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB027N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 275µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB027N10N3 G IPB027N10N3 G-ND IPB027N10N3 GTR-ND IPB027N10N3G SP000506508 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB027N10N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPB027N1, IPB027N10N3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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08052A430JAT2A | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A430JAT2A.pdf | ||
C1210C225K8RACTU | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C225K8RACTU.pdf | ||
TAJD476K010RNJ | 47µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 400 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD476K010RNJ.pdf | ||
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CMF5519K100DHEK | RES 19.1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5519K100DHEK.pdf | ||
LBCA2HNZYZ-711 | RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT | LBCA2HNZYZ-711.pdf | ||
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