창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB027N10N5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB027N10N5 OptiMOS™ 5 80V and 100V Brief | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 184µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10300pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB027N10N5ATMA1TR SP001227034 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB027N10N5ATMA1 | |
관련 링크 | IPB027N1, IPB027N10N5ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SA102A470GAA | 47pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A470GAA.pdf | |
![]() | CX3225CA20000D0HSSCC | 20MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225CA20000D0HSSCC.pdf | |
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![]() | RNCF1206DTC2K55 | RES SMD 2.55K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RNCF1206DTC2K55.pdf | |
![]() | 42J350 | RES 350 OHM 2W 5% AXIAL | 42J350.pdf | |
![]() | HMC500LP3E | RF Modulator IC 1.8GHz ~ 2.2GHz 16-VFQFN Exposed Pad | HMC500LP3E.pdf | |
![]() | OPB680-20 | SENSR OPTO SLOT TRANS W/RES THRU | OPB680-20.pdf |