Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB029N06N3GE8187ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB029N06N3GE8187ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,198.51600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB029N06N3GE8187ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB029N06N3GE8187ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB029N06N3GE8187ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB029N06N3GE8187ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB029N06N3GE8187ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB029N06N3GE8187ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Ipx0(29,32)N06N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB029N06N3 G E8187 IPB029N06N3 G E8187-ND SP000939334 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB029N06N3GE8187ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB029N06N3, IPB029N06N3GE8187ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB029N06N3GE8187ATMA1 의 관련 제품
.jpg) | EMK316B7106KL-TD | 10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | EMK316B7106KL-TD.pdf | |
.jpg) | C0805C473G3GACTU | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C473G3GACTU.pdf | |
 | 824540281 | TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB | 824540281.pdf | |
 | GBU6J-E3/45 | RECTIFIER BRIDGE 6A 600V GBU | GBU6J-E3/45.pdf | |
 | MBR30045CTL | DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER | MBR30045CTL.pdf | |
 | BF2930 | Hinged (Snap On) Free Hanging Ferrite Core 257 Ohm @ 100MHz ID 0.512" Dia (13.00mm) OD 1.160" W x 1.200" H (29.60mm x 30.50mm) Length 1.300" (33.00mm) | BF2930.pdf | |
 | CRCW08051R78FNEA | RES SMD 1.78 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R78FNEA.pdf | |
 | TC124-FR-0766R5L | RES ARRAY 4 RES 66.5 OHM 0804 | TC124-FR-0766R5L.pdf | |
 | CMF55124R00FKEB70 | RES 124 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55124R00FKEB70.pdf | |
 | SQMR530KJ | RES 30.0K OHM 5W 5% RADIAL | SQMR530KJ.pdf | |
 | H41K69BYA | RES 1.69K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K69BYA.pdf | |
 | EVAL-ADF7012DBZ1 | BOARD EVALUATION DB1 FOR ADF7012 | EVAL-ADF7012DBZ1.pdf |
