Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB031NE7N3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB031NE7N3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,644.95900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB031NE7N3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB031NE7N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB031NE7N3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB031NE7N3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB031NE7N3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB031NE7N3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB031NE7N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 155µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8130pF @ 37.5V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB031NE7N3 G IPB031NE7N3 G-ND IPB031NE7N3 GTR-ND IPB031NE7N3G SP000641730 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB031NE7N3GATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB031NE, IPB031NE7N3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB031NE7N3GATMA1 의 관련 제품
 | MAL213630121E3 | 120µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | MAL213630121E3.pdf | |
| B41231A3279M | 27000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231A3279M.pdf | |
 | C1005JB1C684K050BC | 0.68µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1C684K050BC.pdf | |
| BFC247041683 | 0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC247041683.pdf | |
| MKP383324200JIP2T0 | 0.024µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | MKP383324200JIP2T0.pdf | |
| CMR08F433GPDR | CMR MICA | CMR08F433GPDR.pdf | |
 | SM6T200CA-M3/5B | TVS DIODE 171VWM 274VC DO-214AA | SM6T200CA-M3/5B.pdf | |
| SMB8J7.5CA-E3/52 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMB | SMB8J7.5CA-E3/52.pdf | |
 | IXGR32N170H1 | IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247 | IXGR32N170H1.pdf | |
 | CDH74NP-390KC | 39µH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 210 mOhm Max Nonstandard | CDH74NP-390KC.pdf | |
| CGSSL3R068J | RES SMD 0.068 OHM 5% 3W 6028 | CGSSL3R068J.pdf | |
 | CRCW020116K5FKED | RES SMD 16.5K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020116K5FKED.pdf |
