Infineon Technologies IPB038N12N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB038N12N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB038N12N3 G 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,749.37796
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB038N12N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB038N12N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB038N12N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB038N12N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB038N12N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB038N12N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1 SP000694160 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB038N12N3 G | |
| 관련 링크 | IPB038, IPB038N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB038N12N3 G 의 관련 제품
 | ECA-1JHG330B | 33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | ECA-1JHG330B.pdf | |
.jpg) | CC0603JRX7R9BB221 | 220pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRX7R9BB221.pdf | |
 | D332K25Y5PF63J5R | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D332K25Y5PF63J5R.pdf | |
 | F681K33Y5RN6UK5R | 680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | F681K33Y5RN6UK5R.pdf | |
 | C901U150JZSDAAWL45 | 15pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U150JZSDAAWL45.pdf | |
 | 0612YC103MAT2W | 10000pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 0612YC103MAT2W.pdf | |
 | F951A107MAAAQ2 | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 1 Ohm 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) | F951A107MAAAQ2.pdf | |
 | ERZ-E11A511CS | VARISTOR 510V 6KA DISC 13MM | ERZ-E11A511CS.pdf | |
.jpg) | AF1210JR-0739KL | RES SMD 39K OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-0739KL.pdf | |
 | YC248-FR-0733K2L | RES ARRAY 8 RES 33.2K OHM 1606 | YC248-FR-0733K2L.pdf | |
 | RSF2JT18K0 | RES MO 2W 18K OHM 5% AXIAL | RSF2JT18K0.pdf | |
 | CPCC05R3000JB31 | RES 0.3 OHM 5W 5% RADIAL | CPCC05R3000JB31.pdf |
