창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB038N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1 SP000694160 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB038N12N3 G | |
관련 링크 | IPB038, IPB038N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TC2540 | 4000µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 60 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | TC2540.pdf | |
![]() | B41821A9106M | 10µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 17 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | B41821A9106M.pdf | |
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![]() | MA-506 30.0000M-C3: ROHS | 30MHz ±50ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 30.0000M-C3: ROHS.pdf | |
![]() | SMBG5343AE3/TR13 | DIODE ZENER 7.5V 5W SMBG | SMBG5343AE3/TR13.pdf | |
![]() | T507087064AQ | SCR INV STUD 70A 800V TO-94 | T507087064AQ.pdf | |
![]() | CRGV0805F402K | RES SMD 402K OHM 1% 1/8W 0805 | CRGV0805F402K.pdf | |
![]() | RT0603CRD07150KL | RES SMD 150KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD07150KL.pdf | |
![]() | TNPW20103K30BEEF | RES SMD 3.3K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20103K30BEEF.pdf | |
![]() | CW0102K900JE12 | RES 2.9K OHM 13W 5% AXIAL | CW0102K900JE12.pdf | |
![]() | EM14R0D-M20-L016N | ENCODER OPT ROTARY 16PPR WO/SW | EM14R0D-M20-L016N.pdf |