Infineon Technologies IPB039N10N3GE8187ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB039N10N3GE8187ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB039N10N3GE8187ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,879.86800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB039N10N3GE8187ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB039N10N3GE8187ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB039N10N3GE8187ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB039N10N3GE8187ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB039N10N3GE8187ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB039N10N3GE8187ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB039N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 160µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB039N10N3 G E8187 IPB039N10N3 G E8187-ND IPB039N10N3 G E8187TR-ND SP000939340 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB039N10N3GE8187ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB039N10N3, IPB039N10N3GE8187ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 의 관련 제품
 | B41858C6188M9 | 1800µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 30 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41858C6188M9.pdf | |
| LKG1H332MESABK | 3300µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKG1H332MESABK.pdf | |
| B43305A9397M67 | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 350 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305A9397M67.pdf | |
 | 416F36025ATR | 36MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36025ATR.pdf | |
 | NX53D3301Z | 133.333333MHz XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 70mA Enable/Disable | NX53D3301Z.pdf | |
 | MMBZ4625-HE3-08 | DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23-3 | MMBZ4625-HE3-08.pdf | |
| 1N5244B OPAQUE TR | DIODE ZENER 14V 500MW DO35 | 1N5244B OPAQUE TR.pdf | |
 | RMCF0201FT137K | RES SMD 137K OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT137K.pdf | |
.jpg) | RT1206FRE0782K5L | RES SMD 82.5K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE0782K5L.pdf | |
.jpg) | RC2010FK-07107KL | RES SMD 107K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07107KL.pdf | |
 | RG1608N-1270-W-T1 | RES SMD 127 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-1270-W-T1.pdf | |
| Y162823K5000B0W | RES SMD 23.5K OHM 0.1% 3/4W 2512 | Y162823K5000B0W.pdf |
