창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB03N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB03N03LB | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 55A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7624pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPB03N03LBG IPB03N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB03N03LB G | |
관련 링크 | IPB03N, IPB03N03LB G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CBR08C569C1GAC | 5.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C569C1GAC.pdf | |
![]() | SQCAEA3R3BATME | 3.3pF 150V 세라믹 커패시터 A 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEA3R3BATME.pdf | |
![]() | MKP385230063JB02G0 | 3000pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385230063JB02G0.pdf | |
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![]() | IRFSL3006PBF | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 | IRFSL3006PBF.pdf | |
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![]() | 3386P-EY5-103LF | 10k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386P-EY5-103LF.pdf | |
![]() | 2256R-22L | 56µH Unshielded Molded Inductor 1A 397 mOhm Max Axial | 2256R-22L.pdf | |
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