창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB042N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB042N03LG IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGINTR IPB042N03LGXT SP000304124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB042N03L G | |
관련 링크 | IPB042, IPB042N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0805D100FXBAC | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100FXBAC.pdf | |
![]() | 30HV12N251JN | 250pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.420" L x 0.250" W(10.67mm x 6.35mm) | 30HV12N251JN.pdf | |
![]() | GRM1886R2A5R0CZ01D | 5pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R2A5R0CZ01D.pdf | |
![]() | JJS-20 | FUSE CRTRDGE 20A 600VAC NON STD | JJS-20.pdf | |
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![]() | SIT9003AC-1-25DD | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA | SIT9003AC-1-25DD.pdf | |
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B82144A2102K | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 80 mOhm Max Axial | B82144A2102K.pdf | ||
![]() | CRCW060310M0JNTA | RES SMD 10M OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060310M0JNTA.pdf | |
![]() | SOMC16032K00GEA | RES ARRAY 8 RES 2K OHM 16SOIC | SOMC16032K00GEA.pdf | |
![]() | OK5625E-R52 | RES 5.6K OHM 1/4W 5% AXIAL | OK5625E-R52.pdf |