Infineon Technologies IPB042N03L G

IPB042N03L G
제조업체 부품 번호
IPB042N03L G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
Datesheet 다운로드
다운로드
IPB042N03L G 가격 및 조달

가능 수량

2150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 491.63812
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPB042N03L G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB042N03L G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB042N03L G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPB042N03L G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB042N03L G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB042N03L G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IP(B,P)042N03L G
카탈로그 페이지 1614 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C70A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.2m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3900pF @ 15V
전력 - 최대79W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB042N03LG
IPB042N03LGATMA1
IPB042N03LGINTR
IPB042N03LGXT
SP000304124
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPB042N03L G
관련 링크IPB042, IPB042N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB042N03L G 의 관련 제품
1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CL21C102JBCNNNL.pdf
10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D100FXBAC.pdf
250pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.420" L x 0.250" W(10.67mm x 6.35mm) 30HV12N251JN.pdf
5pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM1886R2A5R0CZ01D.pdf
FUSE CRTRDGE 20A 600VAC NON STD JJS-20.pdf
12MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445A22D12M00000.pdf
1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA SIT9003AC-1-25DD.pdf
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B IXFN120N20.pdf
1µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 80 mOhm Max Axial B82144A2102K.pdf
RES SMD 10M OHM 5% 1/10W 0603 CRCW060310M0JNTA.pdf
RES ARRAY 8 RES 2K OHM 16SOIC SOMC16032K00GEA.pdf
RES 5.6K OHM 1/4W 5% AXIAL OK5625E-R52.pdf