창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB042N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB042N03LG IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGINTR IPB042N03LGXT SP000304124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB042N03L G | |
관련 링크 | IPB042, IPB042N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
BFC247076104 | 0.1µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC247076104.pdf | ||
06031J0R9ABTTR | 0.90pF Thin Film Capacitor 100V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06031J0R9ABTTR.pdf | ||
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RC0201JR-071K8L | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/20W 0201 | RC0201JR-071K8L.pdf | ||
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RT0603WRB0718K7L | RES SMD 18.7K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB0718K7L.pdf | ||
CPCC03100R0JB32 | RES 100 OHM 3W 5% RADIAL | CPCC03100R0JB32.pdf | ||
Y078620K4800Q9L | RES 20.48K OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y078620K4800Q9L.pdf | ||
MS46LR-20-1215-Q1-15X-15R-NC-F | SYSTEM | MS46LR-20-1215-Q1-15X-15R-NC-F.pdf |