Infineon Technologies IPB054N06N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB054N06N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB054N06N3 G 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 517.43578
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB054N06N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB054N06N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB054N06N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB054N06N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB054N06N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB054N06N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx054,57N06N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 58µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB054N06N3 G-ND IPB054N06N3G IPB054N06N3GATMA1 SP000446782 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB054N06N3 G | |
| 관련 링크 | IPB054, IPB054N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB054N06N3 G 의 관련 제품
 | B43644F2108M007 | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 90 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B43644F2108M007.pdf | |
 | C927U330JZNDBAWL35 | 33pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C927U330JZNDBAWL35.pdf | |
 | DMP2004K-7 | MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 | DMP2004K-7.pdf | |
 | SPD07N60C3BTMA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | SPD07N60C3BTMA1.pdf | |
 | IHD3EB562L | 5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 4.24 Ohm Max Axial | IHD3EB562L.pdf | |
 | 103R-221FS | 220nH Unshielded Inductor 665mA 220 mOhm Max 2-SMD | 103R-221FS.pdf | |
.jpg) | RLP73V2BR010JTD | RES SMD 0.01 OHM 5% 1/2W 1206 | RLP73V2BR010JTD.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW040261K9BEED | RES SMD 61.9KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040261K9BEED.pdf | |
 | ERJ-PA3D1072V | RES SMD 10.7K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D1072V.pdf | |
.jpg) | AT0402DRE078K45L | RES SMD 8.45KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE078K45L.pdf | |
.jpg) | AT1206CRD0712K1L | RES SMD 12.1KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0712K1L.pdf | |
 | RG1608N-2942-W-T5 | RES SMD 29.4K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2942-W-T5.pdf |
