창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB080N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP080N03L G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 47W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB080N03L G-ND IPB080N03LG IPB080N03LGATMA1 SP000304104 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB080N03L G | |
관련 링크 | IPB080, IPB080N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | FRS-R-35 | FUSE TRON DUAL ELEMENT FUSE CLAS | FRS-R-35.pdf | |
![]() | VS-SD400N24PC | DIODE GEN PURP 2.4KV 400A DO205 | VS-SD400N24PC.pdf | |
![]() | 0603R-221K | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.6 Ohm Max 2-SMD | 0603R-221K.pdf | |
![]() | PM1038S-R75M-RC | 750nH Shielded Inductor 22A 2.5 mOhm Max Nonstandard | PM1038S-R75M-RC.pdf | |
![]() | RC2010FK-0712KL | RES SMD 12K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0712KL.pdf | |
![]() | RT0402CRD0730K9L | RES SMD 30.9K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD0730K9L.pdf | |
![]() | Y08500R01000J9R | RES SMD 0.01 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R01000J9R.pdf | |
![]() | CMF551K8200FKEB | RES 1.82K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K8200FKEB.pdf | |
![]() | WW1JTR130 | RES 0.13 OHM 1W 5% AXIAL | WW1JTR130.pdf |