Infineon Technologies IPB080N06N G
- 제조업체 부품 번호
- IPB080N06N G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB080N06N G 가격 및 조달
가능 수량
1196 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,341.30000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB080N06N G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB080N06N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB080N06N G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB080N06N G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB080N06N G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB080N06N G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB,IPP080N06N G | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPB080N06NG IPB080N06NGINCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB080N06N G | |
| 관련 링크 | IPB080, IPB080N06N G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB080N06N G 의 관련 제품
 | C941U470JZNDAAWL35 | 47pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U470JZNDAAWL35.pdf | |
 | SMAJ24A-E3/5A | TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMA | SMAJ24A-E3/5A.pdf | |
 | DL5221B-TP | DIODE ZENER 2.4V 500MW MINIMELF | DL5221B-TP.pdf | |
 | SI4435DYPBF | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | SI4435DYPBF.pdf | |
 | D1U54P-W-1200-12-HA4PC | AC/DC CONVERTER 12V 1200W | D1U54P-W-1200-12-HA4PC.pdf | |
 | CDRH8D58/LDNP-3R9NC | 3.9µH Shielded Inductor 6.3A 16.3 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D58/LDNP-3R9NC.pdf | |
 | RMCF0805FT76R8 | RES SMD 76.8 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT76R8.pdf | |
 | RCP0505B270RJS3 | RES SMD 270 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B270RJS3.pdf | |
 | CMF6568K000FLRE11 | RES 68K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6568K000FLRE11.pdf | |
| ARV12N4HQ | RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm Module | ARV12N4HQ.pdf | |
| PPT2-0500AWN5VS | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0500AWN5VS.pdf | |
| PPT2-0002DWX2VS | Pressure Sensor ±2 PSI (±13.79 kPa) Differential Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0002DWX2VS.pdf |
