창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB081N06L3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx081,84N06L3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB081N06L3 G-ND IPB081N06L3G IPB081N06L3GATMA1 SP000398076 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB081N06L3 G | |
관련 링크 | IPB081, IPB081N06L3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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RG2012P-8453-B-T5 | RES SMD 845K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-8453-B-T5.pdf | ||
RG1608V-2100-D-T5 | RES SMD 210 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-2100-D-T5.pdf | ||
RP73D2B5K23BTG | RES SMD 5.23K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B5K23BTG.pdf |