창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB083N10N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx08xN10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3G IPB083N10N3GATMA1 SP000458812 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB083N10N3 G | |
관련 링크 | IPB083, IPB083N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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