Infineon Technologies IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G
제조업체 부품 번호
IPB083N10N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
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내부 부품 번호EIS-IPB083N10N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx08xN10N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.3m옴 @ 73A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 75µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs55nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3980pF @ 50V
전력 - 최대125W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB083N10N3 G-ND
IPB083N10N3G
IPB083N10N3GATMA1
SP000458812
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB083N10N3 G
관련 링크IPB083, IPB083N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB083N10N3 G 의 관련 제품
FUSE CRTRDGE 50MA 250VAC/VDC AXL 0242.050UAT1.pdf
FUSE AUTO 70A 32VDC BLADE 0299070.TXN.pdf
TVS DIODE 5VWM 17VC DFN10 EGUARD0524PTR.pdf
150MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V 69mA Enable/Disable SIT9120AI-1D2-25E150.000000X.pdf
OSC XO 3.3V 80MHZ NC SIT3808AI-DF-33NG-80.000000T.pdf
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 EGL34GHE3/83.pdf
DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC BZG05C11-HE3-TR.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 310.8 mOhm Max Nonstandard LQH5BPB220MT0L.pdf
RES SMD 4.7K OHM 5% 1/20W 0201 MCR006YRTJ472.pdf
RES SMD 4.99K OHM 1% 1/20W 0201 MCR006YRTF4991.pdf
RES ARRAY 4 RES 4.64K OHM 0804 TC124-FR-074K64L.pdf
Optical Sensor Ambient 525nm Voltage 6-WDFN TSL13FN.pdf