Infineon Technologies IPB083N10N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB083N10N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB083N10N3 G 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 533.74464
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB083N10N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB083N10N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB083N10N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB083N10N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB083N10N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB083N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx08xN10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 73A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3G IPB083N10N3GATMA1 SP000458812 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB083N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPB083, IPB083N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB083N10N3 G 의 관련 제품
 | 50YXF3.3MEFCT15X11 | 3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 50YXF3.3MEFCT15X11.pdf | |
 | 6TPE330MAP | 330µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 25 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 6TPE330MAP.pdf | |
 | 1.5KE30A-E3/73 | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC AXIAL | 1.5KE30A-E3/73.pdf | |
| G3SBA80-M3/51 | DIODE 1PH 4A 800V | G3SBA80-M3/51.pdf | |
 | SFT722N-S | Red, Green, Blue (RGB) 623nm Red, 527nm Green, 460nm Blue LED Indication - Discrete 2.1V Red, 3.2V Green, 3.2V Blue 6-SMD, J-Lead | SFT722N-S.pdf | |
| PM7032S-330M-RC | 33µH Shielded Wirewound Inductor 760mA 200 mOhm Max Nonstandard | PM7032S-330M-RC.pdf | |
 | IHSM7832ER182L | 1.8mH Unshielded Inductor 340mA 4.2 Ohm Max Nonstandard | IHSM7832ER182L.pdf | |
 | HRG3216P-9531-B-T1 | RES SMD 9.53K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-9531-B-T1.pdf | |
 | RCP0603B10R0JS3 | RES SMD 10 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B10R0JS3.pdf | |
| CRCW04023K40FKEE | RES SMD 3.4K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04023K40FKEE.pdf | |
 | CRCW12061R96FNTA | RES SMD 1.96 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061R96FNTA.pdf | |
 | CMF609K5300FKR670 | RES 9.53K OHM 1W 1% AXIAL | CMF609K5300FKR670.pdf |
