Infineon Technologies IPB090N06N3 G

IPB090N06N3 G
제조업체 부품 번호
IPB090N06N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
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내부 부품 번호EIS-IPB090N06N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx090,93N06N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 34µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2900pF @ 30V
전력 - 최대71W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB090N06N3 G-ND
IPB090N06N3G
IPB090N06N3GATMA1
SP000398042
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB090N06N3 G
관련 링크IPB090, IPB090N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB090N06N3 G 의 관련 제품
FUSE CARTRIDGE 35A 600VAC/300VDC LSRK035.T.pdf
40MHz 수정 12pF 35옴 0°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CX101F-040.000-H0445.pdf
33.8688MHz ±100ppm 수정 6pF 100옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) XRCGB33M868F0L00R0.pdf
RES SMD 6.81K OHM 1% 3/4W 2010 CRCW20106K81FKEF.pdf
RES SMD 10K OHM 0.1% 1/8W 0805 AT0805BRD0710KL.pdf
RES SMD 120K OHM 5% 1/10W 0603 MCR03ERTJ124.pdf
RES SMD 301 OHM 1% 1W 2615 SM2615FT301R.pdf
RES 5.1 OHM 1/2W 5% AXIAL CFR-50JB-52-5R1.pdf
RES 249 OHM 1W 1% AXIAL CMF60249R00FKRE70.pdf
RES 0.20 OHM 3W 5% AXIAL C3AR20JT.pdf
RES 3.44K OHM 1W .1% AXIAL CMF603K4400BHEK.pdf
Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder P51-200-A-T-MD-4.5V-000-000.pdf