창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB090N06N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx090,93N06N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB090N06N3 G-ND IPB090N06N3G IPB090N06N3GATMA1 SP000398042 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB090N06N3 G | |
관련 링크 | IPB090, IPB090N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SQCB5C104KATME | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 C 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB5C104KATME.pdf | |
![]() | 592D228X9004X2T25H | 2200µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 5829 (14574 Metric) 40 mOhm 0.571" L x 0.290" W (14.50mm x 7.37mm) | 592D228X9004X2T25H.pdf | |
![]() | DTA043EEBTL | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89 | DTA043EEBTL.pdf | |
![]() | RMCF1206FT1R00 | RES SMD 1 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT1R00.pdf | |
![]() | RL1206FR-070R047L | RES SMD 0.047 OHM 1% 1/4W 1206 | RL1206FR-070R047L.pdf | |
![]() | RGC0603DTC9K76 | RES SMD 9.76KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RGC0603DTC9K76.pdf | |
![]() | RT0603WRB072K32L | RES SMD 2.32K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB072K32L.pdf | |
![]() | CRCW120642K2FKEB | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120642K2FKEB.pdf | |
![]() | CRCW08052M43FKTB | RES SMD 2.43M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052M43FKTB.pdf | |
![]() | USUG1000-103G | NTC Thermistor 10k DO-204AH, DO-35, Axial | USUG1000-103G.pdf |