창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB100N08S207ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx100N08S2-07 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB100N08S2-07 IPB100N08S2-07-ND SP000219044 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB100N08S207ATMA1 | |
관련 링크 | IPB100N08, IPB100N08S207ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | S2B-E3/52T | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | S2B-E3/52T.pdf | |
![]() | NLV32T-180J-PF | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 3.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-180J-PF.pdf | |
![]() | SD18-1R2-R | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.97A 29.4 mOhm Nonstandard | SD18-1R2-R.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF4530V | RES SMD 453 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF4530V.pdf | |
![]() | AA0201FR-071K65L | RES SMD 1.65K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-071K65L.pdf | |
![]() | AT0805DRD072K94L | RES SMD 2.94K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD072K94L.pdf | |
![]() | CSS2728JT25L0 | RES SMD 0.025 OHM 3W 2827 WIDE | CSS2728JT25L0.pdf | |
![]() | SFR25H0001208JA500 | RES 1.2 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0001208JA500.pdf |