창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB100N08S2L07ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP100N08S2L-07 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 246nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB100N08S2L-07 IPB100N08S2L-07-ND SP000219053 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB100N08S2L07ATMA1 | |
관련 링크 | IPB100N08, IPB100N08S2L07ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TAAB336M010G | 33µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 10V Axial 1.6 Ohm 0.193" Dia x 0.472" L (4.90mm x 12.00mm) | TAAB336M010G.pdf | |
![]() | TPSMB10AHE3/52T | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMB | TPSMB10AHE3/52T.pdf | |
![]() | 510FBA155M520AAG | 155.52MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 23mA Enable/Disable | 510FBA155M520AAG.pdf | |
![]() | CRCW080516K2FKEA | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080516K2FKEA.pdf | |
![]() | CRGH0805F267K | RES SMD 267K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F267K.pdf | |
![]() | Y08500R53330F0R | RES SMD 0.5333OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R53330F0R.pdf | |
![]() | ERG-2SJ821A | RES 820 OHM 2W 5% AXIAL | ERG-2SJ821A.pdf | |
![]() | CMF55137R00FKEB | RES 137 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55137R00FKEB.pdf |