창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB120N06S402ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx120N06S4-02 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 140µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB120N06S4-02 IPB120N06S4-02-ND SP000415560 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB120N06S402ATMA1 | |
관련 링크 | IPB120N06, IPB120N06S402ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MALSECV00AH422BARK | 2200µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 170 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALSECV00AH422BARK.pdf | |
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![]() | V23030C1014A104 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Through Hole | V23030C1014A104.pdf | |
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![]() | AA2010FK-074R7L | RES SMD 4.7 OHM 1% 3/4W 2010 | AA2010FK-074R7L.pdf | |
![]() | CRCW25128M20FKEG | RES SMD 8.2M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25128M20FKEG.pdf | |
![]() | CFR100G1K5 | RES 1.5K OHM 1W 2% AXIAL | CFR100G1K5.pdf | |
![]() | CMF5514K300FKEK | RES 14.3K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5514K300FKEK.pdf | |
![]() | SSCDRRD005PDSA3 | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | SSCDRRD005PDSA3.pdf |