Infineon Technologies IPB144N12N3 G

IPB144N12N3 G
제조업체 부품 번호
IPB144N12N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
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IPB144N12N3 G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB144N12N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)120V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C56A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs14.4m옴 @ 56A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 61µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs49nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3220pF @ 60V
전력 - 최대107W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB144N12N3 G-ND
IPB144N12N3G
IPB144N12N3GATMA1
SP000694166
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB144N12N3 G
관련 링크IPB144, IPB144N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB144N12N3 G 의 관련 제품
TVS DIODE 64VWM 103VC SMCJ64CA-HR.pdf
DIODE ZENER 56V DO213AA BZV55C56.pdf
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 1.8mW/cm² @ 50mA 20° Radial 5IRC-940.pdf
EMI FILTER 62-PRF-020-5-11.pdf
RES SMD 249K OHM 0.5% 1/4W 1206 RT1206DRE07249KL.pdf
RES SMD 887 OHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012P-8870-W-T5.pdf
RES SMD 21.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 MCA12060D2152BP500.pdf
RES SMD 127 OHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012N-1270-W-T1.pdf
RES 444.4 OHM 1/2W 0.1% AXIAL CMF55444R40BHR6.pdf
SAFETY LIGHT CURTAIN MSF4800S-30-1200-30-1200-003XI.pdf
Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-15-G-F-I36-20MA-000-000.pdf
Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube PPT2-0005DRW2VS.pdf