Infineon Technologies IPB144N12N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB144N12N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB144N12N3 G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 641.67966
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB144N12N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB144N12N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB144N12N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB144N12N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB144N12N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB144N12N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.4m옴 @ 56A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB144N12N3 G-ND IPB144N12N3G IPB144N12N3GATMA1 SP000694166 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB144N12N3 G | |
| 관련 링크 | IPB144, IPB144N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB144N12N3 G 의 관련 제품
 | B32652A1682J | 6800pF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | B32652A1682J.pdf | |
 | THJD226K035RJN | 22µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | THJD226K035RJN.pdf | |
 | APT2X101D100J | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | APT2X101D100J.pdf | |
 | BZT55B22-GS18 | DIODE ZENER 22V 500MW SOD80 | BZT55B22-GS18.pdf | |
 | TK30E06N1,S1X | MOSFET N-CH 60V 43A TO-220 | TK30E06N1,S1X.pdf | |
 | AIMC-0603-1N5S-T | 1.5nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | AIMC-0603-1N5S-T.pdf | |
 | 8532-28H | 180µH Unshielded Inductor 990mA 362 mOhm Max 2-SMD | 8532-28H.pdf | |
 | RNCP1206FTD49R9 | RES SMD 49.9 OHM 1% 1/2W 1206 | RNCP1206FTD49R9.pdf | |
.jpg) | AT0805DRE07649RL | RES SMD 649 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07649RL.pdf | |
| RT0805WRE0742R2L | RES SMD 42.2 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0742R2L.pdf | |
.jpg) | RT2010DKE07237KL | RES SMD 237K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07237KL.pdf | |
 | TLE4957C2E6247HAMA1 | IC HALL EFFECT SENSOR SSO-3 | TLE4957C2E6247HAMA1.pdf |
