Infineon Technologies IPB144N12N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB144N12N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB144N12N3 G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 641.67966
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB144N12N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB144N12N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB144N12N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB144N12N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB144N12N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB144N12N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.4m옴 @ 56A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB144N12N3 G-ND IPB144N12N3G IPB144N12N3GATMA1 SP000694166 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB144N12N3 G | |
| 관련 링크 | IPB144, IPB144N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB144N12N3 G 의 관련 제품
 | VJ0805D8R2DLAAJ | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D8R2DLAAJ.pdf | |
 | 19413150001 | FUSE CERAMIC 3.15A 250VAC 5X20MM | 19413150001.pdf | |
 | ESD9C3.3ST5G | TVS DIODE 3.3VWM SOD923 | ESD9C3.3ST5G.pdf | |
 | ATS061CSM-1 | 6.144MHz ±30ppm 수정 32pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS061CSM-1.pdf | |
 | 416F38413CKT | 38.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38413CKT.pdf | |
| SIT8008BC-11-18E-27.000000E | OSC XO 1.8V 27MHZ | SIT8008BC-11-18E-27.000000E.pdf | |
 | RG1608N-8870-W-T1 | RES SMD 887 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-8870-W-T1.pdf | |
 | PAT0805E9761BST1 | RES SMD 9.76K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E9761BST1.pdf | |
 | 4816P-1-820LF | RES ARRAY 8 RES 82 OHM 16SOIC | 4816P-1-820LF.pdf | |
| 4816P-1-111LF | RES ARRAY 8 RES 110 OHM 16SOIC | 4816P-1-111LF.pdf | |
 | CMF5526R100DHEB | RES 26.1 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5526R100DHEB.pdf | |
 | MC65G104B | NTC Thermistor 100k Bead | MC65G104B.pdf |
