창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB160N04S4LH1ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB160N04S4L-H1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 110µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14950pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 167W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000979640 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB160N04S4LH1ATMA1 | |
관련 링크 | IPB160N04, IPB160N04S4LH1ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CGA5L4C0G2J272J160AA | 2700pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L4C0G2J272J160AA.pdf | |
![]() | GQM2195C2A1R0CB01D | 1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2A1R0CB01D.pdf | |
![]() | GRM1885C1H9R8DZ01D | 9.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H9R8DZ01D.pdf | |
![]() | MKP1840422635M | 0.22µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP1840422635M.pdf | |
![]() | L25S006.T | FUSE CRTRDGE 6A 250VAC/DC NONSTD | L25S006.T.pdf | |
![]() | 445A25L30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 12pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25L30M00000.pdf | |
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![]() | 3EZ170D10/TR12 | DIODE ZENER 170V 3W DO204AL | 3EZ170D10/TR12.pdf | |
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