Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB180N04S302ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB180N04S302ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,873.81400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB180N04S302ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB180N04S302ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S302ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB180N04S302ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB180N04S302ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N04S302ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB180N04S3-02 | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB180N04S3-02 IPB180N04S3-02-ND IPB180N04S3-02TR IPB180N04S3-02TR-ND IPB180N04S302 SP000254821 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N04S302ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N04, IPB180N04S302ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB180N04S302ATMA1 의 관련 제품
 | AVS475M25A12B-F | 4.7µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 56.5 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | AVS475M25A12B-F.pdf | |
 | SR155A7R0DAATR2 | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A7R0DAATR2.pdf | |
 | ECS-100-20-4X-DU | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -55°C ~ 125°C 스루홀 HC49/US | ECS-100-20-4X-DU.pdf | |
 | SIT9121AC-1C2-33E156.254000Y | OSC XO 3.3V 156.254MHZ OE | SIT9121AC-1C2-33E156.254000Y.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1001CI2-024.0000B | 24MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI2-024.0000B.pdf | |
 | NL565050T-472J-PF | 4.7mH Unshielded Wirewound Inductor 36mA 78 Ohm Max 2220 (5650 Metric) | NL565050T-472J-PF.pdf | |
 | 8532R-23K | 68µH Unshielded Inductor 1.56A 145 mOhm Max 2-SMD | 8532R-23K.pdf | |
| 1755057-1 | RELAY | 1755057-1.pdf | |
 | MCR50JZHFLR560 | RES SMD 0.56 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHFLR560.pdf | |
| Y118989K6880TR0L | RES 89.688KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118989K6880TR0L.pdf | |
 | NSL-5162 | PHOTOCELL | NSL-5162.pdf | |
| P51-100-G-P-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - M20 x 1.5 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-P-MD-5V-000-000.pdf |
