창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB180N06S4H1ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB180N06S4-H1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001028786 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB180N06S4H1ATMA2 | |
관련 링크 | IPB180N06, IPB180N06S4H1ATMA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SMBG45A-M3/52 | TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO-215AA | SMBG45A-M3/52.pdf | |
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![]() | RMCP2010FT18K2 | RES SMD 18.2K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT18K2.pdf | |
![]() | RNMF14FTD32K4 | RES 32.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD32K4.pdf | |
![]() | P51-15-S-UB-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-15-S-UB-I36-5V-000-000.pdf |