Infineon Technologies IPB180N08S402ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB180N08S402ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO263-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB180N08S402ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,283.58700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB180N08S402ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB180N08S402ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N08S402ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB180N08S402ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB180N08S402ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N08S402ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB180N08S4-02 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 220µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 167nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 277W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000983458 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N08S402ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N08, IPB180N08S402ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB180N08S402ATMA1 의 관련 제품
.jpg) | EVK105CH0R3BW-F | 0.30pF 16V 세라믹 커패시터 C0H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | EVK105CH0R3BW-F.pdf | |
 | VJ1812A240JBRAT4X | 24pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A240JBRAT4X.pdf | |
 | VJ1825Y183JBLAT4X | 0.018µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y183JBLAT4X.pdf | |
 | 08055J3R0BAWTR | 3.0pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J3R0BAWTR.pdf | |
 | ECS-P83-A | 1MHz ~ 125MHz HCMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Through Hole 3.3V 28mA Enable/Disable | ECS-P83-A.pdf | |
SOT89.jpg) | BZV49-C56,115 | DIODE ZENER 56V 1W SOT89 | BZV49-C56,115.pdf | |
-Series.jpg) | ERX-1HJ3R9H | RES SMD 3.9 OHM 5% 1W J BEND | ERX-1HJ3R9H.pdf | |
.jpg) | RT1206CRD07249KL | RES SMD 249K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07249KL.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE0712K1L | RES SMD 12.1K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0712K1L.pdf | |
.jpg) | CRCW0603140RFKEB | RES SMD 140 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603140RFKEB.pdf | |
 | RC12JT18K0 | RES 18K OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT18K0.pdf | |
 | CPR07180R0KE10 | RES 180 OHM 7W 10% RADIAL | CPR07180R0KE10.pdf |
