Infineon Technologies IPB200N15N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB200N15N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB200N15N3 G 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,118.34328
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB200N15N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB200N15N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB200N15N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB200N15N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB200N15N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB200N15N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx200N15N3 G | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB200N15N3 G-ND IPB200N15N3 GTR IPB200N15N3G IPB200N15N3GATMA1 SP000414740 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB200N15N3 G | |
| 관련 링크 | IPB200, IPB200N15N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB200N15N3 G 의 관련 제품
-14.jpg) | C2012X7R2A222M085AE | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R2A222M085AE.pdf | |
 | MXO45HS-3C-24M0000 | 24MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 40mA | MXO45HS-3C-24M0000.pdf | |
 | 520M25CA13M0000 | 13MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | 520M25CA13M0000.pdf | |
 | SCRH5D18-101 | 100µH Shielded Inductor 500mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | SCRH5D18-101.pdf | |
 | IMC1812BNR27K | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 450 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BNR27K.pdf | |
 | IMC1210BN27NJ | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 564mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN27NJ.pdf | |
 | ERA-1AEB8060C | RES SMD 806 OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB8060C.pdf | |
 | RP73D1J590RBTG | RES SMD 590 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J590RBTG.pdf | |
| MBB02070C2373FCT00 | RES 237K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2373FCT00.pdf | |
 | CMF552M6400DHEB | RES 2.64M OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF552M6400DHEB.pdf | |
| IMC0402ER6N2J01 | 6.2nH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 83 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER6N2J01.pdf | |
| P51-300-S-W-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-S-W-M12-4.5V-000-000.pdf |
