Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA2
- 제조업체 부품 번호
- IPB45N06S409ATMA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB45N06S409ATMA2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 688.49400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB45N06S409ATMA2, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB45N06S409ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB45N06S409ATMA2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB45N06S409ATMA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB45N06S409ATMA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB45N06S409ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx45N06S4-09 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3785pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001028652 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB45N06S409ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPB45N06, IPB45N06S409ATMA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB45N06S409ATMA2 의 관련 제품
 | 125143U025AH1B | ALUM-SCREW TERMINAL | 125143U025AH1B.pdf | |
 | SMBG51AHE3/52 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB | SMBG51AHE3/52.pdf | |
 | ASG-C-X-B-10.000MHZ-T | 10MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | ASG-C-X-B-10.000MHZ-T.pdf | |
 | IMC1210ER2R2J | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ER2R2J.pdf | |
 | SPD73R-683M | 68µH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 520 mOhm Max Nonstandard | SPD73R-683M.pdf | |
.jpg) | CRG0603F33R2 | RES SMD 33.2 OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F33R2.pdf | |
.jpg) | RT0805FRE0748R7L | RES SMD 48.7 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE0748R7L.pdf | |
.jpg) | AT1206DRE07154RL | RES SMD 154 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE07154RL.pdf | |
.jpg) | TNPW251225K5BEEY | RES SMD 25.5K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251225K5BEEY.pdf | |
.jpg) | RCS0402124KFKED | RES SMD 124K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS0402124KFKED.pdf | |
| Y0054186K306T9L | RES 186.306KOHM 1/2W 0.01% AXIAL | Y0054186K306T9L.pdf | |
| P51-75-G-C-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-G-C-M12-20MA-000-000.pdf |
