창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S-33 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx47N10S-33 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPB47N10S-33CT IPB47N10S-33CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB47N10S-33 | |
관련 링크 | IPB47N, IPB47N10S-33 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | C901U240JUSDAAWL20 | 24pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U240JUSDAAWL20.pdf | |
![]() | 1N2129AR | DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 | 1N2129AR.pdf | |
![]() | PSM4-252P-10B | 2500pF Feed Through Capacitor 200V 10A 0.5 mOhm 3-PSM | PSM4-252P-10B.pdf | |
![]() | 2256-02J | 1.2µH Unshielded Molded Inductor 4.69A 18 mOhm Max Axial | 2256-02J.pdf | |
![]() | RGC0603DTC953R | RES SMD 953 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RGC0603DTC953R.pdf | |
![]() | CRCW080564K9FKTC | RES SMD 64.9K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080564K9FKTC.pdf | |
![]() | RNF12DTC866R | RES 866 OHM 1/2W .5% AXIAL | RNF12DTC866R.pdf | |
![]() | CMF60243R00FKBF70 | RES 243 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60243R00FKBF70.pdf | |
![]() | 43JR40 | RES 0.4 OHM 3W 5% AXIAL | 43JR40.pdf |