Infineon Technologies IPB47N10S-33
- 제조업체 부품 번호
- IPB47N10S-33
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB47N10S-33 가격 및 조달
가능 수량
2575 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,132.79800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB47N10S-33, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB47N10S-33 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB47N10S-33, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB47N10S-33 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB47N10S-33 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S-33 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx47N10S-33 | |
| 카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPB47N10S-33CT IPB47N10S-33CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB47N10S-33 | |
| 관련 링크 | IPB47N, IPB47N10S-33 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB47N10S-33 의 관련 제품
 | 278KXM016M | 2700µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 98.2 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 278KXM016M.pdf | |
 | 0430002.WR | FUSE BOARD MNT 2A 63VAC/VDC 1206 | 0430002.WR.pdf | |
 | MPLAD15KP7.5CAE3 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC PLAD | MPLAD15KP7.5CAE3.pdf | |
 | 425F11K030M0000 | 30MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11K030M0000.pdf | |
 | KC2520C38.4000C1LE00 | 38.4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 3.5mA Standby (Power Down) | KC2520C38.4000C1LE00.pdf | |
 | SIT8008BC-71-18E-12.28800D | OSC XO 1.8V 12.288MHZ OE | SIT8008BC-71-18E-12.28800D.pdf | |
| SIT8924BM-12-33N-4.000000D | OSC XO 3.3V 4MHZ NC | SIT8924BM-12-33N-4.000000D.pdf | |
| S8JXG03512D | AC/DC CONVERTER 12V 35W | S8JXG03512D.pdf | |
 | ERJ-B2CFR02V | RES SMD 0.02 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2CFR02V.pdf | |
 | CMF602K2000DEBF | RES 2.2K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF602K2000DEBF.pdf | |
| Y1453160R000Q9L | RES 160 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y1453160R000Q9L.pdf | |
 | HSCDRRN004NGAA5 | Pressure Sensor 0.15 PSI (1 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN004NGAA5.pdf |
