창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB47N10S33ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx47N10S-33 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB47N10S-33 IPB47N10S-33-ND IPB47N10S-33TR IPB47N10S-33TR-ND IPB47N10S33 SP000225702 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB47N10S33ATMA1 | |
관련 링크 | IPB47N10, IPB47N10S33ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 1825HC472MAT1A | 4700pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825HC472MAT1A.pdf | |
![]() | 102S42E360FV4E | 36pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E360FV4E.pdf | |
![]() | B37931K5102K060 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | B37931K5102K060.pdf | |
AT08070001 | 8MHz ±50ppm 수정 6pF -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT08070001.pdf | ||
![]() | 1N6481-E3/97 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | 1N6481-E3/97.pdf | |
1N4130UR | DIODE ZENER 68V 500MW DO213AA | 1N4130UR.pdf | ||
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![]() | 1812-562J | 5.6µH Unshielded Inductor 427mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-562J.pdf | |
![]() | CRCW12102M10FKEA | RES SMD 2.1M OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12102M10FKEA.pdf | |
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![]() | Y00073K32000F0L | RES 3.32K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00073K32000F0L.pdf |