Infineon Technologies IPB600N25N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB600N25N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB600N25N3 G 가격 및 조달
가능 수량
3150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,090.02516
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB600N25N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB600N25N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB600N25N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB600N25N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB600N25N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB600N25N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx600N25N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB600N25N3 G-ND IPB600N25N3 GTR IPB600N25N3G IPB600N25N3GATMA1 SP000676408 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB600N25N3 G | |
| 관련 링크 | IPB600, IPB600N25N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB600N25N3 G 의 관련 제품
 | B43508A5567M62 | 560µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 220 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508A5567M62.pdf | |
 | CG252U150W4C | 2500µF 150V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 30 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CG252U150W4C.pdf | |
 | RDER72E334K4M1H03A | 0.33µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.295" L x 0.157" W(7.50mm x 4.00mm) | RDER72E334K4M1H03A.pdf | |
 | VJ0603D151GLAAR | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151GLAAR.pdf | |
 | 416F48012IKT | 48MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012IKT.pdf | |
 | TA-125.000MCD-T | 125MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TA-125.000MCD-T.pdf | |
| SIT5001AI-8E-33VQ-80.000000Y | OSC XO 3.3V 80MHZ VC | SIT5001AI-8E-33VQ-80.000000Y.pdf | |
 | SIT3808AI-D-28NY | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3808AI-D-28NY.pdf | |
 | MEM1608P50R0T001 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel 100mA 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad | MEM1608P50R0T001.pdf | |
 | CTX10-7-52M-R | 10µH Unshielded Toroidal Inductor 11.4A 8 mOhm Max Radial | CTX10-7-52M-R.pdf | |
 | RG2012N-1472-W-T1 | RES SMD 14.7KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1472-W-T1.pdf | |
 | PLTT0805Z1491QGT5 | RES SMD 1.49KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1491QGT5.pdf |
