창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R199CPAATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB60R199CPA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000539966 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB60R199CPAATMA1 | |
관련 링크 | IPB60R19, IPB60R199CPAATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
GRM21A5C2D331JW01D | 330pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21A5C2D331JW01D.pdf | ||
561R10TSQ10 | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.252" Dia(6.40mm) | 561R10TSQ10.pdf | ||
VJ1825Y224JBBAT4X | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y224JBBAT4X.pdf | ||
C901U509CUNDCAWL40 | 5pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U509CUNDCAWL40.pdf | ||
SMBG16A-M3/5B | TVS DIODE 16VWM 26VC DO-215AA | SMBG16A-M3/5B.pdf | ||
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