Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB65R045C7ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB65R045C7ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 10,115.05400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB65R045C7ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB65R045C7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R045C7ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB65R045C7ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB65R045C7ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB65R045C7ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB65R045C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 24.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.25mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB65R045C7ATMA1TR SP000929420 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB65R045C7ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB65R04, IPB65R045C7ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB65R045C7ATMA1 의 관련 제품
 | UPW2A181MHD6TN | 180µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2A181MHD6TN.pdf | |
 | A331K15C0GL5TAA | 330pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A331K15C0GL5TAA.pdf | |
 | GL143F23CET | 14.31818MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL143F23CET.pdf | |
 | FMU-26S | DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F | FMU-26S.pdf | |
 | 1N5248B-TAP | DIODE ZENER 18V 500MW DO35 | 1N5248B-TAP.pdf | |
 | IXTU5N50P | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 | IXTU5N50P.pdf | |
 | MAKK2016TR47M | 470nH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 460 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | MAKK2016TR47M.pdf | |
.jpg) | RT0603CRC071K33L | RES SMD 1.33K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC071K33L.pdf | |
 | CRCW251271R5FKEGHP | RES SMD 71.5 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251271R5FKEGHP.pdf | |
.jpg) | TNPW2010130KBEEY | RES SMD 130K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010130KBEEY.pdf | |
 | ROX1SJ220K | RES 220K OHM 1W 5% AXIAL | ROX1SJ220K.pdf | |
| Y1445200R000F9L | RES 200 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y1445200R000F9L.pdf |
