Infineon Technologies IPB65R099C6ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB65R099C6ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 38A TO263
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB65R099C6ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,184.26144
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB65R099C6ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB65R099C6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R099C6ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB65R099C6ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB65R099C6ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB65R099C6ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx65R099C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 12.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 127nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB65R099C6ATMA1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB65R099C6ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB65R09, IPB65R099C6ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB65R099C6ATMA1 의 관련 제품
 | AGC-2/10-R | FUSE GLASS 200MA 250VAC 3AB 3AG | AGC-2/10-R.pdf | |
 | SI7469DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | SI7469DP-T1-E3.pdf | |
 | ASPI-0315S-3R9M-T | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 750mA 81 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0315S-3R9M-T.pdf | |
 | LK2125330M-T | 33µH Shielded Multilayer Inductor 5mA 1.1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | LK2125330M-T.pdf | |
 | P1812-274J | 270µH Unshielded Inductor 100mA 12.72 Ohm Max Nonstandard | P1812-274J.pdf | |
 | 8532R-42J | 2.7mH Unshielded Inductor 250mA 5.8 Ohm Max 2-SMD | 8532R-42J.pdf | |
 | TJT500680RJ | RES CHAS MNT 680 OHM 5% 500W | TJT500680RJ.pdf | |
.jpg) | RT0402DRE072K67L | RES SMD 2.67KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE072K67L.pdf | |
 | RGC0402FTD51R1 | RES SMD 51.1 OHM 1% 1/16W 0402 | RGC0402FTD51R1.pdf | |
 | CFR-25JR-52-510K | RES 510K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-510K.pdf | |
 | CMF079R1000GNBF | RES 9.1 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF079R1000GNBF.pdf | |
| CMF60100K00BEBF | RES 100K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60100K00BEBF.pdf |
