창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB65R280C6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx65R280C6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB65R280C6 IPB65R280C6-ND IPB65R280C6TR-ND SP000745030 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB65R280C6ATMA1 | |
관련 링크 | IPB65R28, IPB65R280C6ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VJ0805D1R0BLXAP | 1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R0BLXAP.pdf | ||
T86E336K025EBSL | 33µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E336K025EBSL.pdf | ||
347LB3C1536T | 153.6MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA Enable/Disable | 347LB3C1536T.pdf | ||
DSC1033CI2-028.3220T | 28.322MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 10mA Standby (Power Down) | DSC1033CI2-028.3220T.pdf | ||
CDBU0230L-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603 | CDBU0230L-HF.pdf | ||
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MCR25JZHF2612 | RES SMD 26.1K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF2612.pdf | ||
CRGH1206F2K55 | RES SMD 2.55K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F2K55.pdf | ||
RT0805DRE07124KL | RES SMD 124K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07124KL.pdf | ||
HRG3216P-1100-D-T5 | RES SMD 110 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1100-D-T5.pdf | ||
NTHS0402N02N1002JR | NTC Thermistor 10k 0402 (1005 Metric) | NTHS0402N02N1002JR.pdf |