Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB65R660CFDAATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB65R660CFDAATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,268.38500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB65R660CFDAATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB65R660CFDAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R660CFDAATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB65R660CFDAATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB65R660CFDAATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB65R660CFDAATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx65R660CFDA | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 3.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 543pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000875794 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB65R660CFDAATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB65R660, IPB65R660CFDAATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB65R660CFDAATMA1 의 관련 제품
 | GRM1885C2A820FA01D | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A820FA01D.pdf | |
 | CBR02C200J8GAC | 20pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C200J8GAC.pdf | |
 | VJ0402D1R1CLAAP | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1CLAAP.pdf | |
 | SM15T24A | TVS DIODE 20.5VWM 42.8VC SMC | SM15T24A.pdf | |
 | SMDJ54A-HR | TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB | SMDJ54A-HR.pdf | |
 | V575LS80BPX10 | VARISTOR 889.5V 6.5KA DISC 20MM | V575LS80BPX10.pdf | |
 | HF1008R-560J | 56nH Unshielded Inductor 570mA 370 mOhm Max Nonstandard | HF1008R-560J.pdf | |
| S0402-47NF3C | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 830 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-47NF3C.pdf | |
 | RMCF1206JT10M0 | RES SMD 10M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT10M0.pdf | |
 | CRCW02012M20FNED | RES SMD 2.2M OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02012M20FNED.pdf | |
 | RP164PJ470CS | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 1206 | RP164PJ470CS.pdf | |
 | CMF5510K010BHR6 | RES 10.01K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5510K010BHR6.pdf |
