창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB65R660CFDAATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx65R660CFDA | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 3.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 543pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000875794 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB65R660CFDAATMA1 | |
관련 링크 | IPB65R660, IPB65R660CFDAATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0402D2R2BXAAJ | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2BXAAJ.pdf | |
![]() | MP4-1A-1A-1Q-4EE-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1A-1A-1Q-4EE-00.pdf | |
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![]() | ADUM5230WARWZ-RL | Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC | ADUM5230WARWZ-RL.pdf | |
![]() | CRS2512-FX-10R0ELF | RES SMD 10 OHM 1% 2W 2512 | CRS2512-FX-10R0ELF.pdf | |
![]() | RT0402BRE073K16L | RES SMD 3.16KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE073K16L.pdf | |
![]() | Y162850K0000F9W | RES SMD 50K OHM 1% 3/4W 2512 | Y162850K0000F9W.pdf | |
![]() | EXB-2HV561JV | RES ARRAY 8 RES 560 OHM 1506 | EXB-2HV561JV.pdf | |
![]() | CRA12E083330KJTR | RES ARRAY 4 RES 330K OHM 2012 | CRA12E083330KJTR.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-8K06 | RES 8.06K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-8K06.pdf | |
![]() | BT111-A-HCI | RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT | BT111-A-HCI.pdf |