Infineon Technologies IPB70N04S406ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB70N04S406ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB70N04S406ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 575.44300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB70N04S406ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB70N04S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB70N04S406ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB70N04S406ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB70N04S406ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB70N04S406ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx70N04S4-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 58W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB70N04S4-06 IPB70N04S4-06-ND SP000711476 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB70N04S406ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB70N04, IPB70N04S406ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB70N04S406ATMA1 의 관련 제품
 | UPJ1K470MPD6 | 47µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ1K470MPD6.pdf | |
 | K821M15X7RF5UL2 | 820pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K821M15X7RF5UL2.pdf | |
| HBZ222KBBCRAKR | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | HBZ222KBBCRAKR.pdf | |
| B32561J1224J | 0.22µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32561J1224J.pdf | |
 | CD15FD121FO3F | 120pF Mica Capacitor 500V Radial 0.461" L x 0.181" W (11.70mm x 4.60mm) | CD15FD121FO3F.pdf | |
;;2.jpg) | SMCG12A-HR | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMCG | SMCG12A-HR.pdf | |
 | 7M38400010 | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M38400010.pdf | |
 | SD103AWS-E3-08 | DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323 | SD103AWS-E3-08.pdf | |
.jpg) | RT0603BRC0731R6L | RES SMD 31.6 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC0731R6L.pdf | |
 | RSMF12FT1K00 | RES MO 1/2W 1K OHM 1% AXIAL | RSMF12FT1K00.pdf | |
| Y118921K6850TR0L | RES 21.685KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118921K6850TR0L.pdf | |
| XPC05DFH | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Differential Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0 mV ~ 60 mV (12V) 4-SIP Module | XPC05DFH.pdf |
