Infineon Technologies IPB77N06S212ATMA2
- 제조업체 부품 번호
- IPB77N06S212ATMA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB77N06S212ATMA2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 679.78300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB77N06S212ATMA2, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB77N06S212ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB77N06S212ATMA2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB77N06S212ATMA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB77N06S212ATMA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB77N06S212ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx77N06S2-12 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.7m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 93µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 158W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001061294 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB77N06S212ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPB77N06, IPB77N06S212ATMA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB77N06S212ATMA2 의 관련 제품
 | 400MXG120MEFCSN22X30 | 120µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 400MXG120MEFCSN22X30.pdf | |
 | VJ2225A272KBAAT4X | 2700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A272KBAAT4X.pdf | |
 | MKP385336085JI02W0 | 0.036µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385336085JI02W0.pdf | |
| MKP1841415204M | 0.15µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | MKP1841415204M.pdf | |
 | 510BBA212M500AAG | 212.5MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 23mA Enable/Disable | 510BBA212M500AAG.pdf | |
 | 6100-331K-RC | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 600 mOhm Max Radial | 6100-331K-RC.pdf | |
 | S1210R-823G | 82µH Shielded Inductor 137mA 8.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-823G.pdf | |
 | TE1000B10RJ | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 1000W | TE1000B10RJ.pdf | |
.jpg) | RT0603BRE071K47L | RES SMD 1.47KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE071K47L.pdf | |
 | CRCW20103K32FKTF | RES SMD 3.32K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20103K32FKTF.pdf | |
| RT0603WRD0723R7L | RES SMD 23.7OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD0723R7L.pdf | |
 | CRCW12064R02FMTA | RES SMD 4.02 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12064R02FMTA.pdf |
