Infineon Technologies IPB80N04S3H4ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N04S3H4ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N04S3H4ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 750.57800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N04S3H4ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N04S3H4ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N04S3H4ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N04S3H4ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N04S3H4ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N04S3H4ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80N04S3-H4 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 65µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N04S3-H4 IPB80N04S3-H4-ND SP000415564 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N04S3H4ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N04, IPB80N04S3H4ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N04S3H4ATMA1 의 관련 제품
 | GRM188R61E224KA88D | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R61E224KA88D.pdf | |
.jpg) | CGA3E1X7S1C225M080AE | 2.2µF 16V 세라믹 커패시터 X7S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E1X7S1C225M080AE.pdf | |
 | MPLAD6.5KP85CA | TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD | MPLAD6.5KP85CA.pdf | |
 | IRD3CH42DB6 | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE | IRD3CH42DB6.pdf | |
 | 1N5936PE3/TR12 | DIODE ZENER 30V 1.5W DO204AL | 1N5936PE3/TR12.pdf | |
 | CSD87355Q5D | MOSFET 2N-CH 30V 8LSON | CSD87355Q5D.pdf | |
 | SC3316F-102 | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 340mA 3 Ohm Max Nonstandard | SC3316F-102.pdf | |
| 2256R-02K | 1.2µH Unshielded Molded Inductor 4.69A 18 mOhm Max Axial | 2256R-02K.pdf | |
 | 1812-154J | 150µH Unshielded Inductor 149mA 9 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-154J.pdf | |
 | 2300HT-331-V-RC | 330µH Shielded Toroidal Inductor 4.9A 100 mOhm Max Radial | 2300HT-331-V-RC.pdf | |
 | RNCF0603DTE11K0 | RES SMD 11K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTE11K0.pdf | |
 | TRM-900-TT-A | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ | TRM-900-TT-A.pdf |
