창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N04S4L04ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N04S4L-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N04S4L-04 IPB80N04S4L-04-ND SP000646180 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N04S4L04ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N04S, IPB80N04S4L04ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 402F50011CJT | 50MHz ±10ppm 수정 9pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F50011CJT.pdf | |
![]() | V12P45-M3/86A | DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A | V12P45-M3/86A.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF14R0V | RES SMD 14 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF14R0V.pdf | |
![]() | WSLP0603R0510FEB | RES SMD 0.051 OHM 1% 0.4W 0603 | WSLP0603R0510FEB.pdf | |
![]() | PAT0805E1133BST1 | RES SMD 113K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1133BST1.pdf | |
![]() | CRCW1206820KJNTA | RES SMD 820K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206820KJNTA.pdf | |
![]() | NTHS1206N04N3303KU | NTC Thermistor 330k 1206 (3216 Metric) | NTHS1206N04N3303KU.pdf |