Infineon Technologies IPB80N06S205ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S205ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S205ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,332.87900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N06S205ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N06S205ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S205ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N06S205ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S205ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S205ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2-05 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 1/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2-05 IPB80N06S2-05-ND SP000218877 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S205ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06, IPB80N06S205ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N06S205ATMA1 의 관련 제품
 | FK11X5R1C106M | 10µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | FK11X5R1C106M.pdf | |
 | SQCAEM1R2BAJWE | 1.2pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM1R2BAJWE.pdf | |
 | DSC2P01R0L | TRANS NPN DARL 50V 0.5A MINI3 | DSC2P01R0L.pdf | |
 | NTMFD4C87NT3G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | NTMFD4C87NT3G.pdf | |
 | SPI11N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | SPI11N60C3XKSA1.pdf | |
 | 159V | 1.5H Unshielded Inductor 500mA 27 Ohm Nonstandard | 159V.pdf | |
 | RG2012P-78R7-D-T5 | RES SMD 78.7 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-78R7-D-T5.pdf | |
.jpg) | AT0402CRD0722R1L | RES SMD 22.1OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD0722R1L.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW06034K32BEEA | RES SMD 4.32KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06034K32BEEA.pdf | |
| RG2012P-471-W-T5 | RES SMD 470 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-471-W-T5.pdf | |
 | 766141680GP | RES ARRAY 13 RES 68 OHM 14SOIC | 766141680GP.pdf | |
| SBC227RK | RES 27 OHM 4W 10% AXIAL | SBC227RK.pdf |
